[发明专利]一种高深宽比硅通孔铜互连线及其制备方法有效
| 申请号： | 200910041532.9 | 申请日： | 2009-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101661922A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 谷长栋;徐辉;张统一 | 申请（专利权）人： | 广州市香港科大霍英东研究院 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;C23C14/34;C23C14/16;C25D7/06;C25D5/18;C23F1/12;C23C28/02 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 | 代理人： | 周克佑 |
| 地址： | 511458广东省广州市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种高深宽比硅通孔铜互连线：在从电沉积铜开始端至终止端直径为从细至粗的铜互连线。采用电沉积制备上述铜互连线的方法：其特征在于：电沉积铜从较细端到较粗端生长，阳极采用高纯的电解铜板，其面积大于或等于阴极的两倍；导通电流密度保持恒定；在转向电沉积过程中，并且正向电流和负向电流强度相等，正向电流导通时间是负向电流的5倍。本发明采用逐渐变细的硅通孔作为生长电沉积铜的通道，该硅通孔可以自动调节电沉积过程中局部有效电流密度的分布，并且有利于电沉积过程中阴极产生气泡从孔中的逸出，从而实现高深宽比、无孔洞缺陷的硅通孔铜互连线的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高深 硅通孔铜 互连 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高深宽比硅通孔铜互连线，其特征是：所述的铜互连线一端粗一端细，贴近导电硅片端为细端。
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