[发明专利]用于氮化物外延生长的纳米级图形化衬底的制备方法有效
| 申请号： | 200910042058.1 | 申请日： | 2009-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101640169A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 张佰君;饶文涛 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于氮化物外延生长的纳米级图形化衬底的制备方法，其包括以下步骤：在用于氮化物外延生长的衬底上沉积一层铝薄层；利用飞秒激光刻蚀所述铝薄层表面，在铝薄层表面形成周期性的浅凹坑；采用电化学方法将制备的铝薄层阳极氧化形成纳米级图形的多孔网状氧化铝层；去除氧化铝层中的孔洞底部的阻挡层并作适当扩孔处理；利用氧化铝层作为掩膜，通过刻蚀，将氧化铝层上的纳米级图形转移到所述衬底；用酸或碱溶液腐蚀去除氧化铝层，得到带有纳米级图形的衬底；清洗纳米级图形的衬底，然后进行氮化物的外延生长以及后续的器件制备工艺。本发明可以显著地改善多孔氧化铝的图形排列的周期性，从而提高衬底图形的有序性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 氮化物 外延 生长 纳米 图形 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于氮化物外延生长的纳米级图形化衬底的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)在用于氮化物外延生长的衬底上沉积一层铝薄层；(2)利用飞秒激光刻蚀所述铝薄层表面，在铝薄层表面形成周期性的浅凹坑；(3)采用电化学方法将制备的铝薄层阳极氧化形成纳米级图形的多孔网状氧化铝层；(4)去除氧化铝层中的孔洞底部的阻挡层并作适当扩孔处理；(5)利用氧化铝层作为掩膜，通过刻蚀，将氧化铝层上的纳米级图形转移到所述衬底；(6)用酸或碱溶液腐蚀去除氧化铝层，得到带有纳米级图形的衬底；(7)清洗纳米级图形的衬底，然后进行氮化物的外延生长以及后续的器件制备工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
