[发明专利]在射频SIM卡通信系统应用磁感应控制通讯距离的方法和装置有效
申请号: | 200910042188.5 | 申请日: | 2009-08-27 |
公开(公告)号: | CN101996303A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 党飞;唐毅宇;杨军 | 申请(专利权)人: | 东信和平智能卡股份有限公司 |
主分类号: | G06K7/08 | 分类号: | G06K7/08 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 温旭 |
地址: | 519060 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及在射频SIM卡通信系统应用磁感应控制通讯距离的方法和装置,包括手机、射频SIM卡和读卡器,射频SIM卡上增设一磁感应元件,同时在读卡器上增设一磁场,带有磁感应元件的射频SIM卡进入磁场后,由高电平变为低电平,通过此变化的电平使射频SIM卡控制射频芯片从睡眠状态进入接受或发送状态,手机进入读卡器磁场中,可在10cm范围内使射频SIM卡与读卡器形成信号连接并转输数据。本发明利用读卡器终端的磁场激活射频SIM卡进行通信,使两者通信距离控制在10cm范围内,极大降低SIM卡的功耗,降低通信系统的复杂性;可代替目前成熟的13.56MHz通信系统,应用于小额支付系统等。 | ||
搜索关键词: | 射频 sim 卡通 系统 应用 感应 控制 通讯 距离 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种在射频SIM卡通信系统应用磁感应控制通讯距离的方法,包括射频SIM卡和读卡器,其特征是:所述射频SIM卡上增设一磁感应元件,同时在读卡器上增设一磁场,带有磁感应元件的射频SIM卡进入磁场后,由高电平变为低电平,通过此变化的电平使射频SIM卡控制射频芯片从睡眠状态进入接受或发送状态。
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