[发明专利]钨单晶晶须的低温催化合成方法无效
| 申请号： | 200910043330.8 | 申请日： | 2009-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101555622A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 贺跃辉;王世良;刘新利;张泉 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/62;C30B29/02 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 | 代理人： | 颜 勇 |
| 地址： | 410082湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 钨单晶晶须的低温催化合成方法，包括下述工艺步骤：1：按质量百分比取5％～30％的金属硝酸盐与70％～95％的氧化钨粉末混合均匀；2：将步骤1所得混合物在750～950℃温度下煅烧2小时，得到混合金属氧化物；3：将步骤2获得的金属氧化物粉末置于管式炉中，加热到800～1000℃，同时通入露点在15～40℃的过水氢气和氮气的混合气体，保温0.5～2小时进行还原反应，保持气氛不变，随炉降至室温，其中氮气和氢气的体积比为1∶3。本发明工艺方法简单、合成条件易于控制、操作方便、合成成本低廉、合成的钨晶须长径比大、纯度高、产量大，对设备要求简单，适于工业化生产，为高纯度钨单晶晶须的产业化提供了一种可行的技术方案。 | ||
| 搜索关键词： | 钨单晶晶须 低温 催化 合成 方法 | ||
【主权项】：
1、钨单晶晶须的低温催化合成方法，包括下述工艺步骤：第一步：按质量百分比取5％～30％的金属硝酸盐与70％～95％的氧化钨粉末混合均匀；第二步：将第一步所得混合物在750～950℃温度下，在空气中煅烧2小时，得到混合金属氧化物；第三步：将第二步获得的金属氧化物粉末置于管式炉中，加热到800～1000℃，同时通入露点在15～40℃的过水氢气和氮气的混合气体，保温0.5～2小时进行还原反应，保持气氛不变，随炉降至室温，其中氮气和氢气的体积比为1∶3。
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