[发明专利]带加速管的高性能电平转换电路无效

专利信息
申请号: 200910043648.6 申请日: 2009-06-09
公开(公告)号: CN101630955A 公开(公告)日: 2010-01-20
发明(设计)人: 窦强;唐李红;马卓;徐炜遐;郭阳;李少青;陈吉华;赵振宇;陈怒兴;张民选;刘梅;黄冲;白创;肖海鹏 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科学技术大学
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410073湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种带加速管的高性能电平转换电路,它包括两个交叉耦合MOS管P1和P2、两个差分输入MOS管N1和N2和两个加速MOS管P3和P4。加速管P3、P4与差分输入管N1、N2分别构成CMOS反向器形式,使得输出节点导通和截止的速度变得更快。由于增加了加速管P3和P4,该电路在不需要后级反相器调整的情况下实现电平转换,并能使得转化后的信号具有精确的占空比,信号保真。本发明所涉及的电平转换电路,结构简单,工作频率高。
搜索关键词: 加速 性能 电平 转换 电路
【主权项】:
1、一种高性能带加速管的电平转换电路,其特征在于:它包括两个交叉耦合MOS管、两个差分输入MOS管和两个加速MOS管,所述高性能带加速管的电平转换电路包括由两个交叉耦合MOS管(P1)和(P2),(P1)和(P2)的栅分别接差分输出端口(outa)和(outb),构成正反馈,使得(outa)和(outb)的输出节点导通和截止的速度变快;两个差分输入MOS管(N1)和(N2),(N1)和(N2)的栅分别接低电平差分输入信号端口(ina)和(inb);两个加速MOS管(P3)和(P4),(P3)和(P4)的栅漏分别与(N1)和(N2)的栅漏相连,构成CMOS反向器形式的电路结构,使得(outa)和(outb)的输出节点导通和截止的速度变得更快,因此,能使差分输出信号(outa)和(outb)很快达到高电平并时钟信号很容易实现占空比为50%,所以不需要后级反相器来调节。
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