[发明专利]等离子体喷射点火器

摘要

一种等离子体喷射点火器，其特征是它由顶面下凹成上、下凹坑的双凹坑基座、多晶硅等离子体点火芯片、外护罩组成，芯片粘接在基座的下凹坑内，芯片及其电极导片封装在基座内，外护罩上顶面开有与基座上凹坑对应的喷火口，卡罩在基座外。以巨热、高速喷射的多晶硅等离子体粒子点火技术代替传统的热桥丝点火技术，多晶硅质量块在电脉冲的激励下瞬间由固态熔为液态、由液态气化成气态，并经由双凹坑约束形成高温、高压、剧烈冲击的多晶硅等离子体，经上凹坑约束进入直线加速膛完成加速喷射，点火能量低、引燃作用时间短，可进行自动化大规模生产，适应于高温、高压等各种环境下使用，安全、可靠。

主权项

1、一种等离子体喷射点火器，其特征是它由倒筒形双凹坑基座(1)、多晶硅等离子体点火芯片(2)、外护罩(3)组成，基座(1)上项面中间依次下凹成上、下凹坑(4)、(5)，多晶硅等离子体点火芯片(2)自下至上依次为单晶硅衬底(6)，绝缘介质底层(7)，外有薄膜层的多晶硅质量块(8)，绝缘介质层(9)、金属薄膜电极焊盘(10)，芯片(2)粘接在基座(1)中的下凹坑(5)内，其电极导片(11)通过基座(1)下部的内腔引出，芯片(2)、电极导片(11)封装在基座(1)内，外护罩(3)上顶面对应基座(1)的凹坑处开有喷火口(12)，卡罩在基座(1)外。