[发明专利]一种Au/Cr-CZT复合电极的制备方法

摘要

本发明涉及一种Au/Cr-CZT复合电极的制备方法，属于CdZnTe(CZT)半导体材料探测器欧姆电极制备技术领域。本发明方法利用传统常用的现有真空蒸发装置，在CZT表面先蒸发沉积一层厚度为3～15nm的Cr层，然后再蒸发沉积一层厚度为50～150nm的Au电极层，然后在100～200℃温度下恒温10～60分钟，以促进电极层的合金化过程，真空蒸发的真空度在10^-5～10^-7Pa，然后待晶片自然冷却0.5～2小时，最终制得Au/Cr-CZT复合接触电极。本发明方法所得的Au/Cr-CZT复合电极与以往的Au-CZT电极相比，复合电极的接触附着力更强、I-V特性曲线显示其欧姆线性更佳，器件的能谱响应也得到了提高和改善。

主权项

1. 一种Au/Cr-CZT复合电极的制备方法，其特征在于具有以下的过程和步骤：利用传统常用的现有真空蒸发装置，采用真空蒸发法在CdZnTe(CZT)半导体材料的表面上先镀覆一层Cr金属层，然后在Cr金属层上再镀覆一层Au层，构成Au/Cr-CZT复合电极；a. 首先用水洗金刚砂粉和刚玉微粉抛光液对CZT(III)方向的晶片依次研磨抛光至表面平整，无划痕与拉丝，然后超声清洗，并在N2气氛下吹干；b. 将上述经抛光、清洗处理后的晶片放置于腐蚀液中，进行表面化学处理；腐蚀液为含有5％Br2的甲醇溶液及含有2％Br2、20％乳酸的乙二醇溶液，两次化学处理的时间为1～3分钟；将完成腐蚀后的晶片在甲醇中清洗多次以去除表面残余的Br2；c. 将上述处理后的CZT晶片放入真空蒸发装置中的蒸发工作台上，随后将蒸发室的真空度抽至10-5～10-7Pa；d. 启动蒸发装置，在CZT晶片表面先蒸发沉积一层厚度为3～15nm的Cr层，然后在Cr金属层上再蒸发沉积一层厚度为50～150nm的Au电极层；然后在100～200℃温度下恒温10～60分钟，以促进电极层的合金化过程；然后待晶片自然冷却0.5～2小时后取出，即为Au/Cr-CZT复合电极。