[发明专利]通孔刻蚀方法无效

专利信息
申请号: 200910045140.X 申请日: 2009-01-09
公开(公告)号: CN101777511A 公开(公告)日: 2010-07-14
发明(设计)人: 康劲 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/311
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 王一斌;王琦
地址: 201203*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种通孔刻蚀方法,下层金属表面形成包括顺序沉积的刻蚀终止层、第一保护层、第二保护层及图案化的光致抗蚀剂层的通孔刻蚀结构,第一次刻蚀停止在第一保护层中;然后移除图案化的光致抗蚀剂层,进行清洗;最后,刻蚀第一保护层和刻蚀终止层。由于完成第一次刻蚀后,停止层的厚度包括刻蚀终止层和剩余的第一保护层之和,虽然剩余的第一保护层的表面也会同样受到损伤,形成不均匀的表面,但是,在接下来的移除图案化的光致抗蚀剂层和抗反射涂层过程中,氧气的能量不足以穿过这些小丘缝隙对下层金属100造成氧化,所以,下层金属层不会被损伤,从而避免了下层金属被氧化而形成的缺陷,保证了后续工艺的可靠性。
搜索关键词: 刻蚀 方法
【主权项】:
一种通孔刻蚀方法,在下层金属表面顺序沉积的刻蚀终止层、第一保护层、第二保护层及图案化的光致抗蚀剂层的通孔刻蚀结构,其特征在于,还包括:顺序刻蚀第二保护层和部分第一保护层;移除图案化的光致抗蚀剂层,进行清洗;刻蚀剩余的第一保护层和刻蚀终止层。
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