[发明专利]ZnO基粉末-金属复合溅射靶材及其制备方法无效
| 申请号： | 200910045149.0 | 申请日： | 2009-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101775576A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 陈晨曦;林明通 | 申请（专利权）人： | 上海广电电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200060*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于溅射沉积薄膜晶体管有源层的粉末-金属复合靶，所述的粉末-金属复合靶表层的金属组成为InwGaxSnyZnz，其中0≤w，x，y≤1，0≤z≤6。本发明还提供了上述用于沉积薄膜晶体管有源层的粉末-金属复合靶的制作方法与传统高温烧结陶瓷靶相比，粉末-金属复合靶具有以下优点：1)对制作工艺和设备的要求低。2)导热好，可以避免像陶瓷靶那样在使用过程中的开裂。3)可以用螺钉直接固定到溅射靶的背板上，无需陶瓷靶的焊接工艺。4)靶材的金属组成容易调整。因此，所述的粉末-金属复合靶的制作、使用和维护成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | zno 粉末 金属 复合 溅射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于溅射沉积薄膜晶体管有源层的粉末-金属复合靶材，其特征在于：所述的粉末-金属复合靶材表层的金属组成为InwGaxSnyZnz，其中，0≤w，x，y≤1，0≤z≤6。
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