[发明专利]具有新型电极结构的相变存储器的制备方法有效
| 申请号： | 200910045441.2 | 申请日： | 2009-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101504969A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 吕士龙;宋志棠;刘波;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种具有新型电极结构的相变存储器的制备方法，包括如下步骤：在硅片上面应用化学气相沉积的方法制备一层SixN介质层；依次沉积Al层、Ti层、TiN层，使其作为底层电极；在上述底层电极上使用超高真空电子束蒸发法制备SixO作为绝缘层；旋涂负性抗蚀剂；利用电子束曝光制备设定长度直径圆的阵列以及后续光刻的对准标记；刻蚀所述氧化硅，形成氧化硅柱的阵列；使用化学气相沉积法沉积金属材料钨，使其均匀包裹氧化硅柱；沉积相变材料；沉积氧化硅作为介质保护层；氧化硅开孔；顶层电极制备。本发明可以有效地降低热传导速率，降低热量在该部分体积中的损失；同时可以将高温点向相变材料层转移，更有利于器件性能的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 新型 电极 结构 相变 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有新型电极结构的相变存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤A、在硅片上面制备一层SixN介质层；步骤B、依次沉积Al层、Ti层、TiN层，使其作为底层电极；步骤C、在上述底层电极上使用超高真空电子束蒸发法制备SixO作为绝缘层；旋涂负性抗蚀剂；利用电子束曝光制备设定长度直径圆的阵列以及后续光刻的对准标记；刻蚀所述氧化硅，形成氧化硅柱的阵列；步骤D、使用化学气相沉积法沉积金属材料钨，使其均匀包裹氧化硅柱；步骤E、沉积相变材料；步骤F、利用离子束沉积法沉积氧化硅作为介质保护层；步骤G、旋涂正性抗蚀剂，电子束曝光开孔，曝光前仔细精确的执行位置对准，使孔位于氧化硅柱的位置；步骤H、磁控溅射沉积设定厚度的钨，紫外光刻后经反应离子刻蚀形成上层电极。
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