[发明专利]纳米尺寸超导热电子测辐射热仪的制备方法有效
| 申请号： | 200910045670.4 | 申请日： | 2009-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101476940A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 尤立星;杨晓燕 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01J5/10 | 分类号： | G01J5/10;B82B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米尺寸超导热电子测辐射热仪(SHEB)制备方法，包括以下步骤：(1)超薄超导薄膜准备；(2)电极制作；(3)广义微桥形成；(4)纳米尺寸桥区形成。其特征是：在(4)中，采用原子力显微镜纳米刻蚀方法构造纳米尺寸桥区。本发明的优点是：采用原子力显微镜纳米刻蚀方法可以实现纳米尺寸的微桥。其桥区长度由AFM纳米刻蚀所形成的纳米线条的宽度所决定。而纳米线条的宽度由AFM针尖电压、周围环境的湿度、温度以及电场作用时间等参数所控制。该方法可以减小SHEB的有效尺寸，适用于各种不同纳米尺寸的SHEB制备。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 尺寸 导热 电子 辐射热 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种纳米尺寸超导热电子测辐射热仪的制备方法，包括(1)超薄超导薄膜准备、(2)电极制作、(3)广义微桥的形成以及(4)纳米尺寸桥区制作，其特征在于在步骤4纳米尺寸桥区制作过程中，采用原子力显微镜纳米刻蚀技术制作同一行内并行的两个纳米线条，两个纳米线条的间距决定了纳米尺寸超导热电子测辐射热仪的最小宽度。
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