[发明专利]曝光形成半导体器件当层的方法有效
| 申请号： | 200910045821.6 | 申请日： | 2009-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101788769A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 肖楠;邢一飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种曝光形成半导体器件当层的方法，关键在于，包括：A、曝光台对准前层时，曝光台测量前层对准标记，得到前层晶圆的特征信息；曝光台测量前层叠对精准测量标识，得到前层中曝光单元的特征信息；B、将所述前层晶圆的特征信息和曝光单元的特征信息，反馈给曝光台；C、曝光台根据反馈的晶圆的特征信息和曝光单元的特征信息进行曝光形成当层。采用该方法能够大大提高晶圆生产的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种曝光形成半导体器件当层的方法，其特征在于，包括：A、曝光台对准前层时，曝光台测量前层对准标记，得到前层晶圆的特征信息；曝光台测量前层叠对精准测量标识，得到前层中曝光单元的特征信息；B、将所述前层晶圆的特征信息和曝光单元的特征信息，反馈给曝光台；C、曝光台根据反馈的晶圆的特征信息和曝光单元的特征信息进行曝光形成当层。
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