[发明专利]测量金属通孔电阻的集成电路测试器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910045824.X | 申请日： | 2009-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101788642A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 廖淼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01R27/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 谢安昆;宋志强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测量多层结构中的金属通孔电阻的集成电路测试器件，该测试器件为四端开尔文结构，包括源端正极、源端负极、测试端正极、测试端负极和待测金属通孔，源端正极包括N个依次堆叠的金属层，N为大于等于3的自然数，相邻金属层之间通过金属通孔连接；所述源端正极的最底层金属层延伸部分向上依次堆叠N-2个桥接金属层，所述最底层金属层与最接近底层金属层的桥接金属层通过金属通孔连接，相邻桥接金属层通过金属通孔连接，最上层桥接金属层与连接源端负极的金属层通过被测金属通孔连接；测试端正极连接所述最上层桥接金属层，测试端负极连接所述最下层桥接金属层。本发明还公开了上述测试器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 金属 电阻 集成电路 测试 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种测量多层结构中的金属通孔电阻的集成电路测试器件，该测试器件为四端开尔文结构，包括源端正极、源端负极、测试端正极、测试端负极和待测金属通孔，源端正极包括N个依次堆叠的金属层，N为大于等于3的自然数，相邻金属层之间通过金属通孔连接；其特征在于，所述源端正极的最底层金属层延伸部分向上依次堆叠N-2个桥接金属层，所述最底层金属层与最接近底层金属层的桥接金属层通过金属通孔连接，相邻桥接金属层通过金属通孔连接，最上层桥接金属层与连接源端负极的金属层通过被测金属通孔连接；测试端正极连接所述最上层桥接金属层，测试端负极连接所述最下层桥接金属层。
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