[发明专利]一种图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200910045927.6 | 申请日： | 2009-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101789436A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 廖奇泊;金达;周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/82;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种图像传感器及其制造方法，其中，所述图像传感器包括：衬底，其上形成有焊盘区、其他电路区和有源像素区；主像素区，形成于所述有源像素区中；钝化层，其仅存在于所述其他电路区和所述主像素区中。其中，所述制造方法包括如下步骤：在衬底上形成焊盘区、其他电路区和有源像素区；在所述有源像素区中形成主像素区；形成钝化层，所述钝化层仅存在于所述其他电路区和所述主像素区中。本发明能够兼顾钝化层，又能减少主像素阵列区在例如彩色滤波器和微透镜的制成中直接暴露。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器，其中，包括：衬底，其上形成有焊盘区、其他电路区和有源像素区；主像素区，形成于所述有源像素区中；钝化层，其仅存在于所述其他电路区和所述主像素区中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
