[发明专利]电性地址与物理地址对应关系的调整方法无效
申请号: | 200910045937.X | 申请日: | 2009-01-22 |
公开(公告)号: | CN101789357A | 公开(公告)日: | 2010-07-28 |
发明(设计)人: | 朱晓荣;赵辉;龙吟;倪棋梁 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 20120*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了电性地址与物理地址对应关系的调整方法,以在根据该对应关系,通过位图系统输出的损坏逻辑die中不合格cell的电性地址,得到该不合格cell的正确物理地址,进而提高失效性分析的成功率。该方法包括:破坏die中预定物理地址的cell;位图系统检测该die,并输出该破坏的cell的电性地址;基于已有电性地址与物理地址的对应关系,通过该电性地址获得该破坏cell的物理地址;比较出获得的该物理地址与预定物理地址的偏差;以及根据该偏差调整所述对应关系。 | ||
搜索关键词: | 地址 物理地址 对应 关系 调整 方法 | ||
【主权项】:
一种电性地址与物理地址对应关系的调整方法,其特征在于,包括:破坏芯片中预定物理地址的单元;位图系统检测该芯片,并输出该破坏的单元的电性地址;基于已有电性地址与物理地址的对应关系,通过该电性地址获得该破坏的单元的物理地址;比较出获得的该物理地址与预定物理地址的偏差;以及根据该偏差调整所述对应关系。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910045937.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造