[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910046027.3 | 申请日： | 2009-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101800227A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 周刚;方永学;黄长虹 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/52;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201201 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，其中所述薄膜晶体管阵列基板包括：衬底；所述衬底上的相互交叠的栅极线层和数据线层；位于所述衬底上非显示区域内的、与所述数据线层交叠的短路杆，所述短路杆与所述栅极线层位于同一层；所述短路杆与所述数据线层之间的隔离绝缘的介质层；覆盖于所述短路杆和所述数据线层上的钝化层；还包括：横跨所述短路杆和数据线层交界处的通孔，所述通孔的内表面暴露出短路杆、数据线层、以及所述介质层；在所述通孔的内表面覆盖的短路电极线，所述短路电极线将所述数据线层和所述短路杆电性连接。所述薄膜晶体管阵列基板的优点为制作过程较简单，有利于提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管阵列基板，包括：衬底；所述衬底上的相互交叠的栅极线层和数据线层；位于所述衬底上非显示区域内的、与所述数据线层交叠的短路杆，所述短路杆与所述栅极线层位于同一层；所述短路杆与所述数据线层之间的隔离绝缘的介质层；覆盖于所述短路杆和所述数据线层上的钝化层；其特征在于，还包括：横跨所述短路杆和数据线层交界处的通孔，所述通孔的内表面暴露出短路杆、数据线层、以及所述介质层；在所述通孔的内表面覆盖的短路电极线，所述短路电极线将所述数据线层和所述短路杆电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
