[发明专利]微波ECR等离子体辅助磁控溅射沉积装置有效
| 申请号： | 200910046033.9 | 申请日： | 2009-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101798676A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 张磊;施立群 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 包兆宜 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属薄膜技术及应用领域。具体涉及一种微波ECR等离子体辅助磁控溅射沉积装置，包括磁控溅射区和ECR等离子体轰击区以及基板，ECR等离子体放电室，柱状室和环状圆盘，所述的溅射区和等离子体轰击区位于真空室夹角的两端，环状圆盘焊接在柱状室上。本发明将高活性的微波等离子体与磁控溅射技术结合起来，能克服双离子束溅射辅助沉积时溅射沉积速率低、辅助轰击效果也相对较低的缺点，可对沉积和等离子体辐照分别控制，制备高质量的薄膜。与传统方法比较本发明ECR辅助下制备的钛膜表面平整，致密，光洁。同时也能降低装置成本。 | ||
| 搜索关键词： | 微波 ecr 等离子体 辅助 磁控溅射 沉积 装置 | ||
【主权项】：
微波ECR等离子体辅助磁控溅射沉积装置，其特征是包括磁控溅射区(1)和ECR等离子体轰击区(2)，所述的溅射区和等离子体轰击区位于真空室夹角的两端。
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