[发明专利]一种基于表面微机械加工的绝对压力传感器芯片及制作方法有效
| 申请号： | 200910046040.9 | 申请日： | 2009-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN101487747A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 王权;李昕欣;鲍敏杭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/06;B81C5/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于表面微机械加工的绝对压力传感器芯片及制作方法，其特征是采用由低应力的氮化硅薄膜作为压力传感器芯片的核心结构层，多晶硅薄膜形成力敏电阻条。将低应力的氮化硅薄膜膜区设计为长矩形，根据膜区的应力分布，充分利用多晶硅电阻条的纵向压阻效应，以及尽量利用膜上张应力的区域，将一对电阻条的一部分放到了薄膜的外面，另外两个电阻条布置在膜的中心位置。并将每个电阻条的打折的弯角部分开接触孔淀积金属将其导通。采用与IC工艺兼容表面微机械加工工艺，可以制作量程从1KPa～1MPa高灵敏度，稳定性佳，高精度的绝对压力传感器芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 表面 微机 加工 绝对 压力传感器 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种基于表面微机械加工的绝对压力传感器芯片，其特征是采用由低应力的氮化硅薄膜作为压力传感器芯片的结构层，多晶硅薄膜淀积在低应力的氮化硅薄膜上；多晶硅薄膜形成力敏电阻条；低应力氮化硅薄膜的膜区设计为长矩形，利用多晶硅电阻条的纵向压阻效应，将一对电阻条的一部分放到了薄膜的外面，四个等值的电阻条构成惠斯登检测电路。
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