[发明专利]交直流两用塞曼效应原子吸收背景校正系统及使用方法无效
| 申请号： | 200910046175.5 | 申请日： | 2009-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101806718A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 杨啸涛;陈建钢;陈江韩 | 申请（专利权）人： | 上海光谱仪器有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/31 | 分类号： | G01N21/31 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人： | 陈学雯 |
| 地址： | 201709 上海市青*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 交直流两用塞曼效应原子吸收背景校正系统及使用方法，涉及一种原子吸收分析装置，尤其涉及原子吸收分析装置中的背景系统较正。包括一原子化器，原子化器两侧装有一受控磁场发生装置；所述受控磁场发生装置连接对受控磁场发生装置进行控制的控制装置；所述控制装置控制受控磁场发生装置产生的磁场的参数；还包括一塞曼背景校正光路结构，所述塞曼背景校正光路结构为直流磁场塞曼背景校正光路结构，包括单色器、偏振棱镜、光检测器；所述光检测器为分别检测分析光束和参比光束的光检测器。本发明将交变磁场塞曼背景校正和直流磁场塞曼背景校正整合到一套系统里，实现更理想的背景较正。 | ||
| 搜索关键词： | 直流 两用 效应 原子 吸收 背景 校正 系统 使用方法 | ||
【主权项】：
交直流两用塞曼效应原子吸收背景校正系统，其特征在于，包括一原子化器，原子化器两侧装有一受控磁场发生装置；所述受控磁场发生装置连接对受控磁场发生装置进行控制的控制装置；所述控制装置控制受控磁场发生装置产生的磁场的参数；还包括一塞曼背景校正光路结构，所述塞曼背景校正光路结构为直流磁场塞曼背景校正光路结构，包括单色器、偏振棱镜、光检测器；所述光检测器为分别检测分析光束和参比光束的光检测器。
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