[发明专利]HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法有效
| 申请号： | 200910046387.3 | 申请日： | 2009-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101514484A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 于广辉;王新中;林朝通;曹明霞;卢海峰;李晓良;巩航;齐鸣;李爱珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/20 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)膜中使用的纳米多孔材料衬底及其制备方法，其特征在于采用复合纳米多孔材料作为厚膜GaN外延生长的衬底，改善晶体质量，同时方便衬底的剥离。先在以Si为衬底的GaN模板上沉积一层金属Al薄层，经电化学的方法形成均匀的多孔网状阳极氧化铝(AAO)，再采用诱导耦合等离子体刻蚀(ICP)等技术，刻蚀得到多孔GaN材料，孔的底部露出Si衬底表面；在此基础上采用腐蚀方法，实现对Si的腐蚀并获得复合纳米多孔结构；通过表面处理，使得Si的表面覆盖SiNx或者SiO2层，以满足后续的外延生长需求。经清洗后，再放入HVPE系统中生长厚膜GaN层。大大简化了光刻制作掩膜的工艺，适合于科学实验和批量生产时采用。 | ||
| 搜索关键词： | hvpe 方法 生长 gan 使用 多孔 材料 衬底 | ||
【主权项】：
1、一种HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底，其特征在于所述的多孔材料衬底为硅衬底上形成的SiN或SiO2硅基复合纳米多孔结构。
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