[发明专利]高效高功率因素充电器电路

摘要

一种高效高功率因素充电器电路，包括整流电路、变压器、整流滤波电路、电压电流误差信号取样电路、光电耦合器、脉宽调制电路以及一N沟道场效应晶体管；其特征在于：所述脉宽调制电路为脉宽调制及功率因数校正双效电路，由峰值电流型升压式功率因数校正芯片和芯片外围电路构成。本发明采用市面上现有的峰值电流型升压式功率因数校正芯片，以其特别的接法，将其构成脉宽调制及功率因数校正双效电路，用其替代现有技术中的脉宽调制电路，从而在不增加成本、不降低效率的前提下，提高了整个充电器电路的功率因数(达≥0.95)。

主权项

1、一种高效高功率因素充电器电路，包括整流电路、变压器(TR1)、整流滤波电路、电压电流误差信号取样电路、光电耦合器、脉宽调制电路以及一N沟道场效应晶体管(Q1)；所述整流电路的输入端口接交流电源，其输出负极端(B)接地，而其输出正极端(A)接所述变压器(TR1)的初级侧第一绕组(N1)的首端，而该初级侧第一绕组(N1)的尾端经所述N沟道场效应晶体管(Q1)以及第一电阻(R9)接地；所述变压器(TR1)的次级侧第二绕组(N2)接整流滤波电路，该整流滤波电路的输出端口作为充电输出口(DCOUT)，该充电输出口(DC OUT)上分出一路接电压电流误差信号取样电路，该电压电流误差信号取样电路的输出接光电耦合器的输入端口(PC1-1)，而光电耦合器的输出端口(PC1-2)接脉宽调制电路，脉宽调制电路输出脉冲信号至N沟道场效应晶体管(Q1)的栅极，以此构成电压及恒流反馈控制式电路结构；其特征在于：所述脉宽调制电路为脉宽调制及功率因数校正双效电路，由峰值电流型升压式功率因数校正芯片(IC1)和芯片外围电路构成；所述芯片外围电路如下：所述峰值电流型升压式功率因数校正芯片(IC1)的工作电源脚(8)上接入三路，其中第一路是由所述整流电路的输出正极端(A)经第二电阻(R6)接入，第二路是由所述变压器的初级侧第三绕组(NF)经第一二极管(D1)接入，第一二极管(D1)的正极朝向初级侧第三绕组(NF)，第三路是由地经第一电容(C5)接入；所述峰值电流型升压式功率因数校正芯片(IC1)的零电流检测输入脚(5)上经第三电阻(R7)接至所述第一二极管(D1)的正极；所述峰值电流型升压式功率因数校正芯片(IC1)的电压反馈输入脚(1)上分出两路，一路经第四电阻(R4)并至工作电源脚(8)上，另一路经第五电阻(R5)接地；所述峰值电流型升压式功率因数校正芯片(IC1)的倍增器输入脚(3)上分出两路，一路经第六电阻(R2)接所述整流电路的输出正极端(A)，另一路上经相并联的第七电阻(R3)和第二电容(C6)接地；所述峰值电流型升压式功率因数校正芯片(IC1)的补偿脚(2)通过第三电容(C7)接地，并且，在第三电容(C7)两端跨接所述光电耦合器的输出端口(PC1-2)；所述峰值电流型升压式功率因数校正芯片(IC1)的接地脚(6)接地；所述峰值电流型升压式功率因数校正芯片(IC1)的电流取样输入脚(4)连接所述N沟道场效应晶体管(Q1)的源极；所述峰值电流型升压式功率因数校正芯片(IC1)的驱动输出脚(7)连接所述N沟道场效应晶体管(Q1)的栅极。