[发明专利]铜互连层上的熔丝制程方法及其半导体器件有效
| 申请号： | 200910046707.5 | 申请日： | 2009-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101819943A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 魏秉钧;陈昱升 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/312;H01L21/027;H01L23/522;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在铜互连层上的熔丝制程方法，所述铜互连层包括顶层、中间层和底层铜互连层，关键在于，该方法包括：在顶层铜互连层上沉积钝化层；图案化该钝化层，刻蚀至暴露出顶层互连层中的铜互连线；在图案化的钝化层表面及顶层铜互连层的互连线表面沉积金属铝层，并图案化该金属铝层，形成与顶层铜互连层的互连线相连接的铝衬垫；在图案化的钝化层上定义熔孔的位置，刻蚀形成熔孔；在铝衬垫表面、图案化的钝化层表面及熔孔底面沉积聚酰亚胺膜；去除铝衬垫表面及熔孔底面的聚酰亚胺膜。本发明还公开了一种半导体器件。采用该方法能够简化工艺制程，采用该半导体器件可以提高器件的电学性能和运行速度。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 熔丝制程 方法 及其 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种在铜互连层上的熔丝制程方法，所述铜互连层包括顶层、中间层和底层铜互连层，其特征在于，该方法包括：在顶层铜互连层上沉积钝化层；图案化该钝化层，刻蚀至暴露出顶层互连层中的铜互连线；在图案化的钝化层表面及顶层铜互连层的铜互连线表面沉积金属铝层，并图案化该金属铝层，形成与顶层铜互连层的铜互连线相连接的铝衬垫；在图案化的钝化层上定义熔孔的位置，刻蚀形成熔孔；在铝衬垫表面、图案化的钝化层表面及熔孔底面沉积聚酰亚胺膜；去除铝衬垫表面及熔孔底面的聚酰亚胺膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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