[发明专利]降低沟槽内残留物的方法无效
| 申请号： | 200910046710.7 | 申请日： | 2009-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101819930A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 厉渊;刘昌伙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低沟槽内残留物的方法，依次进行氧化硅层的刻蚀及衬垫层蚀除LRM，在LRM之后，采用氧气等离子体灰化的方法，去除LRM过程中产生的聚合物。采用该方法能够去除沟槽内产生的聚合物，从而降低由聚合物演变而成的难以清除的残留物，最终提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 沟槽 残留物 方法 | ||
【主权项】：
一种降低沟槽内残留物的方法，依次进行氧化硅层的刻蚀及衬垫层蚀除LRM，其特征在于，在LRM之后，采用氧气等离子体灰化的方法，去除LRM过程中产生的聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
