[发明专利]一种常温制备AlxGa1-xN三元合金半导体薄膜的方法无效
| 申请号： | 200910046920.6 | 申请日： | 2009-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101514483A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 吴嘉达;孙剑;方芳;干洁 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/38;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海东创专利代理事务所 | 代理人： | 马 云;曹立维 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在常温条件下制备AlxGa1-xN三元合金半导体薄膜的方法，其利用同一激光束经过分束镜得到两激光束，其中一激光束对铝靶烧蚀向膜层提供铝，另一激光束对AsGa靶烧蚀向膜层提供镓，由氮气微波放电形成的活性氮向膜层提供氮，气相的铝、镓、氮反应形成AlxGa1-xN合金半导体薄膜沉积于衬底上。本发明提供了一种常温条件下制备不同铝、镓比，特别是高铝组分AlxGa1-xN薄膜的方法，其非平衡特征使得构成膜层的组分可以突破平衡固溶度的制约，本发明中两束激光对两个靶的脉冲激光烧蚀引发超饱和度、高电离度、高速膨胀的激光等离子体，并以微波放电形成的高化学活性的等离子体辅助成膜，可以大大降低AlxGa1-xN薄膜的制备温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 常温 制备 al sub ga 三元 合金 半导体 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种常温制备AlxGa1-xN三元合金半导体薄膜的方法，其特征在于：脉冲激光束经过分束镜得到两激光束，其中一激光束对铝靶烧蚀向膜层提供铝，另一激光束对AsGa靶烧蚀向膜层提供镓，由氮气微波放电形成的活性氮向膜层提供氮，气相的铝、镓、氮反应形成AlxGa1-xN合金半导体薄膜沉积于衬底上。
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