[发明专利]一种WOx基电阻型存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 200910046977.6 | 申请日： | 2009-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101826595A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;周鹏;吕杭炳 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 包兆宜 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，涉及金属氧化物不挥发存储器技术，具体涉及一种WOx基电阻型存储器及其制备方法，该WOx基电阻型存储器包括上电极、钨下电极、以及设置在上电极和钨下电极之间的WOx基存储介质，所述WOx基存储介质是通过对覆盖在钨下电极上的WSi化合物层氧化处理形成，其中，1＜x≤3。该发明提供的电阻型存储器能提高工艺可控性和器件可靠性，同时具有相对低功耗、数据保持特性好的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 wox 电阻 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种WOx基电阻型存储器，包括上电极、钨下电极，其特征在于，在上电极和钨下电极之间设置WOx基存储介质，所述WOx基存储介质是通过对覆盖在钨下电极上的WSi化合物层氧化处理形成，其中，1＜x≤3。
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