[发明专利]压电晶体元件

摘要

本发明涉及一种压电晶体元件，属于晶体元件领域。本发明的压电晶体元件包括压电晶体材料(1)，电极层(2)，引线(3)。所述的压电晶体材料，其化学式为A3+xB1+yAl3+zSi2+mO14+n，其中，-0.2≤x≤0.2，-0.2≤y≤0.2，-0.2≤z≤0.2，-0.2≤m≤0.2，-1.4≤n≤1.4，A为Ca、Sr或者两者的组合，B为Ta、Nb或Sb三种元素中的一种，也可以是三种元素中的几种元素的组合。本发明的压电晶体元件最高使用温度可达1000℃，具有大的高温电阻率、大的压电系数、高的机电耦合系数、室温至熔点没有相变、价格便宜等特性。

主权项

压电晶体元件，其特征在于，包括：压电晶体材料(1)，电极层(2)，引线(3)；所述的压电晶体材料，其化学式为A3+xB1+yAl3+zSi2+mO14+n，其中：-0.2≤x≤0.2，-0.2≤y≤0.2，-0.2≤z≤0.2，-0.2≤m≤0.2，-1.4≤n≤1.4；A为Ca或Sr或者两者的组合；B为Ta、Nb或Sb三种元素中的一种或几种元素的组合；所述的压电晶体材料，选用X切，Y切，Z切，或者其他旋转切型。