[发明专利]硅微机械压力开关、制作方法及其应用无效

专利信息
申请号: 200910047406.4 申请日: 2009-03-11
公开(公告)号: CN101510482A 公开(公告)日: 2009-08-19
发明(设计)人: 熊斌;荆二荣;王跃林 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01H35/14 分类号: H01H35/14;H01H11/00;B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 潘振甦
地址: 200050*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种硅微机械压力开关、制作方法及其应用。特征在于所述的压力开关的上、下硅片电极封装在金属管壳中,形成空气腔;上下两电极间由二氧化硅作为绝缘层进行隔离;使上、下两硅片电极间形成间隙,上硅片电极包括有硅弹性薄膜、至少一个节流槽、金薄膜和框架;下硅片电极包括有导流孔和金薄膜;导流孔正对硅弹性薄膜的中心;硅弹性薄膜位于上硅片电极底部中央,节流槽位于键合后的上、下硅片电极形成的间隙之间;上硅片电极中的框架被二氧化硅覆盖,制作是基于MEMS技术,包括节流槽的形成、框架的形成、硅弹性薄膜的形成、电接触硅膜图形的形成、电接触金膜图形的形成、导流孔的形成、上下电极粘合和器件封装,主要应用于轮胎爆胎快速制动。
搜索关键词: 微机 压力 开关 制作方法 及其 应用
【主权项】:
1、一种硅微机械压力开关,所述的压力开关包括上、下两个硅片电极和金属管壳,其特征在于上、下硅片电极封装在金属管壳中,形成空气腔;上下两电极间由二氧化硅作为绝缘层进行隔离;使上、下两硅片电极间形成间隙,上硅片电极包括有硅弹性薄膜、至少一个节流槽、金薄膜和框架;下硅片电极包括有导流孔和金薄膜;导流孔正对硅弹性薄膜的中心;硅弹性薄膜位于上硅片电极底部中央,节流槽位于键合后的上、下硅片电极形成的间隙之间,用于控制空气腔中气体的进出;上硅片电极中的框架被二氧化硅覆盖。
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