[发明专利]铜薄膜形成方法有效
| 申请号： | 200910047646.4 | 申请日： | 2009-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101840883A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 张弓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C25D5/10;C25D5/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种铜薄膜形成方法，包括：在需要形成铜薄膜的表面，执行第一电镀步骤形成第一厚度的铜薄膜；对已形成的第一厚度的铜薄膜执行第一退火步骤；在已形成的铜薄膜表面，执行第二电镀步骤继续形成铜薄膜直至达到所需的铜薄膜厚度；对已形成的铜薄膜执行第二退火步骤，其中，第一电镀步骤和第二电镀步骤的电镀条件相同。所述铜薄膜形成方法改善了晶圆翘曲变形的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种铜薄膜形成方法，其特征在于，包括：在需要形成铜薄膜的表面，执行第一电镀步骤形成第一厚度的铜薄膜；对已形成的第一厚度的铜薄膜执行第一退火步骤；在已形成的铜薄膜表面，执行第二电镀步骤继续形成铜薄膜直至达到所需的铜薄膜厚度；对已形成的铜薄膜执行第二退火步骤，其中，第一电镀步骤和第二电镀步骤的电镀条件相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
