[发明专利]浅槽隔离的方法有效
| 申请号： | 200910047948.1 | 申请日： | 2009-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101840882A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 周建军;张京晶;王军;石锗元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/311;B08B5/02;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浅槽隔离的方法，包括以下步骤：(1)提供一硅衬底；(2)依次在所述硅衬底上形成氧化物层、氮化物层、光阻层；(3)刻蚀光阻形成图案；(4)刻蚀氮化物层；(5)刻蚀氧化物层；(6)刻蚀硅形成浅槽；(7)进行剥离光阻，以去除剩余的光阻；(8)进行气体吹洗操作。该浅槽隔离方法，是将剥离步骤置于刻蚀后，可以更加彻底清除光阻，防止光阻残留在产品上，并增加气体吹洗步骤，可以更加彻底地清除刻蚀过程中的剩余的光阻及光阻的副产物，避免了刻蚀后残留的光阻及其产生的副产物沉积在刻蚀图案的边侧或表面，保证了刻蚀所形成图案的精确性，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 方法 | ||
【主权项】：
一种浅槽隔离的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供一硅衬底；(2)依次在所述硅衬底上形成氧化物层，氮化物层、光阻层；(3)刻蚀光阻形成图案；(4)刻蚀氮化物层；(5)刻蚀氧化物层；(6)刻蚀硅形成浅槽；(7)进行剥离光阻，以去除剩余的光阻；(8)进行气体吹洗操作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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