[发明专利]一种硅基微通道上无电镀镍的方法

摘要

本发明公开了一种硅基微通道上无电镀镍的方法，包括以下步骤：将制备好的微通道放入含有1％聚乙二醇辛基苯基醚的水溶液中浸润10～30秒。将六水合流酸镍、十二烷基硫酸钠、氟化氨、柠檬酸钠、氨水和硫酸铵配置成溶液，将步骤1)的微通道用去离子水清洗后放入溶液，溶液保持碱性环境pH值在7.5-8.5，温度控制在80-85摄氏度，沉积5-10分钟，沉积完毕取出微通道用去离子水冲洗，从而得到高比表面积的3D电流收集层。这种硅基微通道的无电镍沉积技术的有益效果是：成本低，操作简单，实现容易；其微通道孔度均匀，比表面积和深宽比较大。

主权项

1、一种硅基微通道上无电镀镍的方法，包括以下步骤：1)将制备好的硅微通道放入含有1％Triton X-100的水溶液中浸润10～30秒。2)按六水合流酸镍1-2M/L、十二烷基硫酸钠10-20mg、氟化氨2.5-7.5M/L、柠檬酸钠0.2-0.4M/L、氨水和硫酸铵0.5-1M/L配置成溶液，将步骤1)的微通道用去离子水清洗后放入溶液，温度控制在80-85摄氏度，沉积5-10分钟，沉积完毕取出微通道用去离子水冲洗，得到高比表面积的3D电流收集层。