[发明专利]电阻式随机存储器用多层薄膜结构的电阻转变方式的调控无效
| 申请号： | 200910048823.0 | 申请日： | 2009-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101533669A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 李效民;杨蕊;于伟东;刘新军;曹逊;王群;张亦文;杨长 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06;H01L45/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及在同一种存储结构中实现和调控多种电阻转变方式的方法，包括单/双极性电阻转变和两种方向的双极性电阻转变，所述的电阻转变方式均可用于电阻式随机存储器。本发明中的存储结构为多层薄膜结构，包括顶电极、阻变层和底电极。顶电极为活泼金属，阻变层为稀土锰氧化物薄膜，底电极为贵金属或氧化物导电薄膜。通过控制活泼金属顶电极的厚度和施加特殊的电压扫描或脉冲过程实现了单/双电阻转变效应以及双极性电阻转变效应的极性翻转。在同一种存储结构中实现多种电阻转变方式的调控，可发挥多种电阻转变方式的优势，如单极性电阻转变的高转变率，双极性电阻转变的快速度。因此可在同一存储阵列中满足不同的存储要求，有利于其实际应用。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机 存储 器用 多层 薄膜 结构 转变 方式 调控 | ||
【主权项】：
1、一种电阻式随机存储器用多层薄膜结构的电阻转变的调控方法，所述的多层薄膜结构，包括顶电极、阻变层和底电极，其特征在于在同一存储器结构中通过控制顶电极的厚度和施加一个电压扫描或脉冲作用过程实现电阻转变方式的调控。
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