[发明专利]高掺杂Yb,Er:YAG透明陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 200910048837.2 | 申请日： | 2009-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101851096A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 黄同德;潘裕柏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/505 | 分类号： | C04B35/505;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及高掺杂Yb，Er:YAG透明陶瓷及其制备方法，其特征在于采用粉料混合均匀后进行先煅烧后压片或直接进行压片，冷等静压后在真空炉中烧结。该陶瓷材料通过提高Yb3+离子的掺杂浓度来增强吸收系数，Yb3+作为敏化离子吸收940nm泵浦源的能量，再把能量传递给Er3+离子。Yb，Er:YAG透明陶瓷具有较高的透光度和机械性能，在1.5μm波段的荧光强度较强，潜在应用于医疗、光通讯等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 yb er yag 透明 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
高掺杂Yb，Er:YAG透明陶瓷，其特征在于，晶粒尺寸为5～50μm，Yb3+离子的浓度为2at％～6at％，Er3+离子的掺杂浓度在1at～3at％。
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