[发明专利]一种高纯二氧化碲单晶及制备方法有效
| 申请号： | 200910048849.5 | 申请日： | 2009-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101851783A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 葛增伟;朱勇;吴国庆;殷学技;唐林耀;赵寒冰;顾李臻 | 申请（专利权）人： | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/46;C30B11/00;C30B15/00;C01B19/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高纯二氧化碲单晶及制备方法，属于单晶生长技术领域。本发明的制备过程为首先进行第一次单晶生长，然后将所得单晶重新溶解，之后加入沉淀剂制粉，最后将所制粉体进行第二次单晶生长后获得高纯单晶。本发明制备的二氧化碲单晶纯度高，尤其是U、Th等放射性杂质含量可降低至10-13g/g。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 氧化 碲单晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯二氧化碲单晶的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：(1)将二氧化碲原料粉体装入坩埚中进行第一次单晶生长；(2)将步骤(1)所得单晶用酸性溶剂溶解为溶液；(3)将碱性沉淀剂加入到步骤(2)所得溶液中，过滤、干燥；(4)将步骤(3)的所得二氧化碲粉体装入坩埚中进行第二次单晶生长。
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