[发明专利]0.5微米垂直JFET工艺无效
| 申请号： | 200910049076.2 | 申请日： | 2009-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101859709A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 刘启星;汪大祥;孔天午 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/337 | 分类号： | H01L21/337;H01L21/306;H01L21/20;H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种0.5微米垂直JFET工艺，在衬底上生长外延层后，在需要进行掺杂的区域开槽，在槽中进行掺杂注入，掺杂注入与沉底及外延层相反类型的材料。用本发明的技术方案，通过开槽大大减小了横向扩散的现象，从而减小器件尺寸，最小关键尺寸可以小至0.5μm，提高了芯片的集成度，同时，通过开槽可以使填充物的掺杂浓度更加均匀，以保证器件良好性能。 | ||
| 搜索关键词： | 0.5 微米 垂直 jfet 工艺 | ||
【主权项】：
一种0.5微米垂直JFET工艺，其特征在于，在衬底上生长外延层后，在需要进行掺杂的区域开槽，在槽中进行掺杂注入，所述掺杂注入与沉底及外延层相反类型的材料。
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