[发明专利]TFT阵列基板制造方法

摘要

本发明涉及一种TFT阵列基板制造方法，该制造方法在第三道光罩前先使用丝网形成绝缘层，所述绝缘层覆盖数据线和源漏极区域，然后利用第三道光罩形成栅极焊盘的接触孔，最后利用第四道光罩形成像素电极。本发明提供的TFT阵列基板制造方法，其中的第三道光罩工序仅需形成栅极焊盘的接触孔，可以简化第三道光罩工序，降低成本，提高产量。

主权项

1.一种TFT阵列基板制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供一基板，并在该基板上形成一第一金属层和一第一光刻胶层，利用一第一光罩在该第一金属层之上形成栅线、栅极和栅焊盘；在该基板上继续依次沉积一栅绝缘层、一半导体层、一欧姆接触层、一第二金属层和一第二光刻胶层，利用一第二光罩在该第二金属层之上形成源极、漏极、沟道、数据线和数据焊盘下电极；在该基板上继续沉积一绝缘层后放置丝网，所述丝网覆盖源极、漏极和数据线，经过刻蚀形成钝化层，然后继续沉积一第三光刻胶层，利用一第三道光罩形成栅焊盘接触孔；在该基板上继续沉积一透明导电层一第四光刻胶层，利用一第四道光罩形成像素电极和数据焊盘上电极。