[发明专利]片上系统芯片无效

专利信息
申请号: 200910049792.0 申请日: 2009-04-22
公开(公告)号: CN101593741A 公开(公告)日: 2009-12-02
发明(设计)人: 许丹;孔蔚然 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L25/07;H01L25/16;H01L25/18
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所 代理人: 郑 玮
地址: 201203上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开一种片上系统芯片,所述片上系统芯片至少嵌入有一个存储模块,所述存储模块由至少二个电压源提供电压,电压源由片上系统芯片内部提供或者由片上系统芯片外部提供,所述存储模块为随机存储器、动态随机存储器、只读存储器、可擦除可编程只读存储器、闪存、铁电存储器、相变随机存取存储器中的一种或者其中的任意组合,所述电压源的电压为12V、5V、3.3V、1.8V中的任意二个以上的组合。本发明的片上系统芯片通过在嵌入的存储器上设置多个电压源,分别用于不同的工作条件下的工作电压,使得存储模块或者片上系统芯片无须设计复杂的电压转换电路,减轻电源管理的负担,从而降低芯片设计的复杂度,提高片上系统工作效率。
搜索关键词: 系统 芯片
【主权项】:
1.一种片上系统芯片,所述片上系统芯片至少嵌入有一个存储模块,其特征在于:所述存储模块由至少二个电压源提供电压。
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