[发明专利]发光二极管芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 200910049930.5 | 申请日： | 2009-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101872813A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;甘志银;汪沛;周圣军 | 申请（专利权）人： | 刘胜 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 李平 |
| 地址： | 430074 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 发光二极管芯片及其制造方法，高热导率材料作为LED芯片的支撑衬底，支撑衬底上依次为键合材料层、反射层、透明电极层、外延层、n面电极，其制造方法为蓝宝石衬底GaN外延片上蒸镀透明导电层；在导电层上蒸镀反射层；在反射层上涂敷键合材料层，将蓝宝石衬底GaN外延片键合到衬底上；用机械研磨、化学机械抛光、湿法腐蚀相结合去除蓝宝石衬底；采用电感耦合等离子体刻蚀n-GaN、有源层和p-GaN，用氢氧化钾溶液将未掺杂的GaN层刻蚀掉，并对n-GaN表面进行粗化；蒸镀n面电极到n-GaN层，形成欧姆接触。本发明的优点是避免了采用激光剥离蓝宝石衬底对GaN基LED外延层和键合层造成的损伤，同时利用高热导率衬底提高散热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，包括：高热导率的衬底、键合材料层、反射层、透明导电层和发光二极管外延层，其特征在于高热导率材料作为垂直结构发光二极管芯片的支撑衬底，支撑衬底上面为键合材料层，键合材料层上面是反射层，反射层上面为透明导电层，透明导电层上为发光二极管外延层，发光二极管外延层上面是n面电极。
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