[发明专利]感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法有效
申请号: | 200910049960.6 | 申请日: | 2009-04-24 |
公开(公告)号: | CN101872733A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 倪图强;陈金元;王晔;杜若昕;欧阳亮 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/66;H05F3/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种从被加工半导体工艺件消除残余电荷的系统和方法。移除残余电荷会减少/防止去夹持的失败,从而防止半导体工艺件被破碎或被损坏。对嵌入于静电夹盘内的电极施加反向放电直流电压,并通过升降顶针组件来提供一个残余电荷接地的出口,而使残余电荷被移除。升降顶针组件被保持与静电夹盘的基座具有相同的电势,来防止在施加射频功率来产生等离子体时产生电火花。一残余电荷感测器被用来感测和测量残余电荷的数量,因此,在下一次的去夹持操作过程中,反向放电电压的参数可以被调整。 | ||
搜索关键词: | 加工 半导体 工艺 残余 电荷 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种对反应室内静电夹盘上被夹持的半导体工艺件去夹持的系统,其中一射频源产生和维持等离子体来处理该反应室内的半导体工艺件,至少一导电的升降顶针被用来在半导体工艺件处理后与半导体工艺件接触而使半导体工艺件放电,该系统包括:一残余电荷感测器,其被设置于沿着一第一放电路径,通过该第一放电路径来感测半导体工艺件的残余电荷放电;一第一电感,连接于残余电荷感测器和升降顶针之间;和一控制器,从残余电荷感测器接收输出信号,并决定残余电荷的数量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造