[发明专利]感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法有效

专利信息
申请号: 200910049960.6 申请日: 2009-04-24
公开(公告)号: CN101872733A 公开(公告)日: 2010-10-27
发明(设计)人: 倪图强;陈金元;王晔;杜若昕;欧阳亮 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/66;H05F3/00
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 201201 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种从被加工半导体工艺件消除残余电荷的系统和方法。移除残余电荷会减少/防止去夹持的失败,从而防止半导体工艺件被破碎或被损坏。对嵌入于静电夹盘内的电极施加反向放电直流电压,并通过升降顶针组件来提供一个残余电荷接地的出口,而使残余电荷被移除。升降顶针组件被保持与静电夹盘的基座具有相同的电势,来防止在施加射频功率来产生等离子体时产生电火花。一残余电荷感测器被用来感测和测量残余电荷的数量,因此,在下一次的去夹持操作过程中,反向放电电压的参数可以被调整。
搜索关键词: 加工 半导体 工艺 残余 电荷 系统 方法
【主权项】:
一种对反应室内静电夹盘上被夹持的半导体工艺件去夹持的系统,其中一射频源产生和维持等离子体来处理该反应室内的半导体工艺件,至少一导电的升降顶针被用来在半导体工艺件处理后与半导体工艺件接触而使半导体工艺件放电,该系统包括:一残余电荷感测器,其被设置于沿着一第一放电路径,通过该第一放电路径来感测半导体工艺件的残余电荷放电;一第一电感,连接于残余电荷感测器和升降顶针之间;和一控制器,从残余电荷感测器接收输出信号,并决定残余电荷的数量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)有限公司,未经中微半导体设备(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910049960.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top