[发明专利]一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法有效
申请号: | 200910050101.9 | 申请日: | 2009-04-27 |
公开(公告)号: | CN101872647A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 林殷茵;金钢;尹明;张佶;吴雨欣;解玉凤 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | G11C17/14 | 分类号: | G11C17/14 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 包兆宜 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属存储器技术领域,涉及一种一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法。本发明提供的一次编程电阻随机存储单元使用二元或者二元以上的多元金属氧化物作并具有2T2R的结构特点,通过第一个存储电阻和第二个存储电阻的状态组合差异来代表存储状态“1”和“0”。该发明的一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器不容易受工艺偏差的影响,并具有读取速度快、读写容限高、不挥发的特点。 | ||
搜索关键词: | 一次 编程 电阻 随机 存储 单元 阵列 存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
一种一次编程电阻随机存储单元,其特征在于以二元或者二元以上的多元金属氧化物作为存储电阻介质,所述电阻随机存储器单元包括:第一选通管,与所述第一选通管串联连接的第一存储电阻,第二选通管,以及,与所述第二选通管串联连接的第二存储电阻;其中,所述一次编程电阻随机存储单元:(1)第一存储电阻处于第一电阻态且第二存储电阻处于第二电阻态时处于第一数据状态,(2)第一存储电阻处于第二电阻态且第二存储电阻处于第一电阻态时处于第二数据状态。
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