[发明专利]选通管复用结构的电阻存储器、阵列及其读操作方法有效
| 申请号： | 200910050102.3 | 申请日： | 2009-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN101872645A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;张佶;金钢;谢玉凤 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/02;G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 包兆宜 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属存储器技术领域，涉及一种选通管复用结构的电阻存储器、阵列及其读操作方法。本发明的电阻存储器中包括一条用于读取数据的冗余位线和一个冗余存储电阻，读操作时，流过选中位线的电流与流过冗余位线的电流进行比较，可以读出选中位线上的存储电阻的数据状态；进一步，由这种选通管复用结构的电阻存储器排列组成的电阻存储器阵列，可以避免因漏电流导致的误读取操作，该电阻存储器阵列具有高可靠性的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 选通管复用 结构 电阻 存储器 阵列 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种选通管复用结构的电阻存储器，包括m个存储电阻、一个用于控制选通所述存储电阻的复用选通管、m条位线，m个存储电阻的第一端均并联连接于所述复用选通管，m个存储电阻的第二端对应与m条位线分别连接，其特征在于所述电阻存储器，还包括一个冗余存储电阻和一条冗余位线，所述冗余存储电阻的第一端连接于所述复用选通管、第二端连接于所述冗余位线；其中m为大于或等于2的整数。
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