[发明专利]一种还原SiCl4制SiHCl3的磁旋转氢气电弧反应器

摘要

鉴于目前国内多晶硅企业使用的热氢还原法还原SiCl4制SiHCl3存在能耗高、SiCl4转化率低及SiHCl3生成率低以及气相白炭黑法处理SiCl4生成的白炭黑经济附加值低，本发明提供了一种能耗低、SiCl4转化率高、SiHCl3生成率高的方法，使气态SiCl4与氢气的混合物在磁旋转的两电极之间发生电弧放电，在氢气等离子体的气氛下还原SiCl4制SiHCl3，通过电弧放电的方式将电能直接转化成热能，提高了电能的利用率，同时氢等离子体的条件大大提高了SiCl4的转化率和SiHCl3生成率，由于SiHCl3是生产多晶硅的主要原料，因此本发明能够实现多晶硅的封闭式生产，达到环保高效的目标。

主权项

本发明是一种转化SiCl4为SiHCl3的方法，气态的SiCl4与氢气的混合物在磁旋转的电弧反应器内发生电弧放电，在等离子体气氛中SiCl4与氢气充分接触发生还原反应，生成SiHCl3和HCl。SiHCl3被分离用作生产多晶硅的原料，未完全反应的氢气和SiCl4被用于电弧反应器的下一次循环中。