[发明专利]一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法

摘要

本发明公开了一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法，该方法是通过测量不同光照强度下器件表面的电容微分信号，判断由光照引起的表面反型层即表面漏电通道的存在。结合测量数据，通过相应的数值模拟，得出测量区域具体漏电通道的大小。利用本方法可以直接、明确地得出器件具体的表面漏电特性，从而为器件漏电的抑制提供有针对性的参数。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。

主权项

1.一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法，其特征在于步骤如下：a.将半导体光探测器件沿垂直于生长方向解理，用导电银胶将解理后的器件粘在小铁片上，其中解理面垂直向上露于大气中，与粘贴面相对；b.用扫描探针显微镜的扫描电容显微模式测量器件解理面的电容微分信号，测量时系统自带光斑离开测量区域90μm以外；c.调节外加入射激光，使其直接打到器件测量区域，外加入射激光的光子能量应大于被测材料的带隙；d.调节入射激光功率密度，记录一系列光照下的电容的微分信号；e.根据所测的器件信息以及具体入射光波长，由器件模拟软件建立模型；f.由测得的电容微分信号出现极性反转时的光功率密度，选择该光照强度作为入射光参数进行模拟，并根据此时dC/dV＝0的关系，通过数值模拟调试出测量表面的表面势及表面电荷密度大小；g.根据所得到的表面势及表面电荷密度大小，由数值模拟得出一系列光照下器件内具体的载流子分布，从而得到光照下的表面反型层，也就是表面以下少子超过多子的区域，该区域即为漏电通道，反型层的深度即为漏电通道的大小。