[发明专利]低磁场下具有巨磁热效应的Gd5Si2-xGe2-xZn2x和Gd5Si2-yGe2Zny合金有效
| 申请号： | 200910050328.3 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101555563A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 侯雪玲;胡星浩;汪学真;张鹏;徐晖;倪建森;周邦新 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C22C28/00 | 分类号： | C22C28/00;H01F1/047 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低磁场下具有巨磁热效应的Gd5Si2-xGe2-xZn2x合金，其中0.001≤2x≤0.8；Gd5Si2-yGe2Zny，其中0.001≤y≤0.8。本发明通过高传导电子Zn元素对基体Gd5Si2Ge2的合金化处理，使4f电子与传导电子杂化程度发生变化，诱发合金中元素的化合价和合金的自旋波能量变化，使合金的一级相变容易发生，合金对外加磁场变化响应敏感，降低合金发生一级相变的临界诱发磁场和相变过程中产生的磁滞后，提高了合金在低磁场下的磁热效应和磁制冷循环过程的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 具有 热效应 gd sub si ge zn 合金 | ||
【主权项】：
1.一种低磁场下具有巨磁热效应的Gd5Si2-xGe2-xZn2x合金，其特征在于该合金具有以下化学组成式：Gd5Si2-xGe2-xZn2x，其中0.001≤2x≤0.8。
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