[发明专利]大面积染料敏化太阳能电池的导电基底及其太阳能电池无效

专利信息
申请号: 200910050346.1 申请日: 2009-04-30
公开(公告)号: CN101567267A 公开(公告)日: 2009-10-28
发明(设计)人: 刘志勇;蔡传兵;马辉;周文谦;鲁玉明 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01G9/004 分类号: H01G9/004;H01G9/04;H01M14/00;H01L51/44;H01G9/20;H01L51/42
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开一种大面积染料敏化太阳能电池的导电基底及具有所述导电基底的染料敏化太阳能电池。该导电基底包括透明衬底、紧邻透明衬底并间隔设置在透明衬底上的栅电极及涂覆在透明衬底上且包覆栅电极的导电层。其中,透明衬底是透明的玻璃基底或者透明的聚合物基底。栅电极的宽度是2~100微米。所述相邻的栅电极之间的间距是500~8000微米。所述导电层为透明导电层,优选的是ITO导电层、ATO导电层或者FTO导电层。通过在导电基底的透明衬底上间隔布置栅电极,并在所述栅电极上裹覆导电层的结构设计,使得具有上述导电基底的大面积染料敏化太阳能电池中电子的传输速度加快,电子在传输过程中的损耗减小,进而实现染料敏化太阳能电池的大面积化,实用化。
搜索关键词: 大面积 染料 太阳能电池 导电 基底 及其
【主权项】:
1.一种大面积染料敏化太阳能电池的导电基底,其特征是:所述导电基底包括透明衬底、紧邻透明衬底并间隔设置在透明衬底上的栅电极及涂覆在透明衬底上且包覆栅电极的导电层。
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