[发明专利]薄膜晶体管器件有效
| 申请号： | 200910050351.2 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101572273A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 张志林;张建华;李俊;张良;张小文 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管器件。它包括基板、金属栅极层、第一绝缘层、有源层、金属源电极和漏电极层，在所述的有源层与金属源电极和漏电极层之间有一层第二绝缘层，它代替一般使用的欧姆接触层能起到降低源、漏电极和有源层中间的接触电阻的作用。由此可以降低器件制作过程中使用有毒气体和减少一道蚀刻工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 器件 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管器件，它包括在基板(1)、金属栅极层(2)、第一绝缘层(3)、有源层(4)源电极(6)和漏电极(7)，其特征在于在所述的有源层(4)与源电极(6)和漏电极层(7)之间有一层第二绝缘层(8)，它能起到降低源电极(6)和漏电极(7)与有源层(4)中间的接触电阻的作用。
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