[发明专利]刻蚀金属间介质层的方法无效
| 申请号： | 200910050378.1 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101876074A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;黄怡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02;C23F1/12 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种刻蚀金属间介质层的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面布置介质层，所述介质层的远离半导体衬底的表面布置有刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层，从而形成多个开口，以暴露需要刻蚀的介质层；采用等离子体刻蚀工艺刻蚀暴露于开口处的介质层；所述等离子体刻蚀工艺所采用的气体中含有刻蚀辅助气体，所述刻蚀辅助气体是同时含有碳元素和氧元素的气体，优选自一氧化碳和二氧化碳中的一种或两种。本发明的优点在于，采用含碳和氧的气体作为刻蚀辅助气体，在采用氧元素去除表面聚合物的同时，采用碳元素保护蚀坑的侧壁，降低蚀坑侧壁的倾斜程度，从而降低通孔处金属插塞的表面积，进而降低金属引线之间的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 金属 介质 方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀金属间介质层的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面布置介质层，所述介质层的远离半导体衬底的表面布置有刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层，从而形成多个开口，以暴露需要刻蚀的介质层；采用等离子体刻蚀工艺刻蚀暴露于开口处的介质层；所述等离子体刻蚀工艺所采用的气体中含有刻蚀辅助气体，其特征在于，所述刻蚀辅助气体是同时含有碳元素和氧元素的气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910050378.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
