[发明专利]一种纳米级柱状相变存储器单元阵列的制备方法无效
| 申请号： | 200910050396.X | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101546728A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 冯高明;宋志棠;刘波;封松林;万旭东;吴关平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人： | 黄志达;宋 缨 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米级柱状相变存储器单元阵列的制备方法，包括：在底电极材料衬底上沉积一层金属薄膜；利用亚微米CMOS标准工艺曝光技术，制备出光刻胶图形；利用反应离子刻蚀技术中O2气体，对光刻胶的形貌进行修整，将光刻胶直径调整到50nm左右；再用等离子刻蚀的技术刻蚀金属薄膜和相变材料的复合结构形成柱状结构；清洗光刻胶，即得纳米柱状电极形貌；沉积一层绝缘材料覆盖住上述结构，然后用化学机械抛光的方法抛平表面，停留在金属薄膜上；再沉积上电极材料，通过刻蚀的方法形成上电极图形，即得纳米级柱状相变存储器单元阵列。该方法不仅避免了直接使用100nm以下曝光技术的困难，降低了制造成本，更重要的是降低了相变存储器的操作电流和功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 柱状 相变 存储器 单元 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种纳米级柱状相变存储器单元阵列的制备方法，包括：(1)首先在底电极材料衬底上沉积一层厚度为200～400nm金属薄膜；(2)在步骤(1)获得的结构上利用亚微米CMOS标准工艺曝光技术，制备出直径为200nm～300nm的光刻胶图形；(3)利用反应离子刻蚀技术中O2气体，对光刻胶的形貌进行修整，将光刻胶直径调整到45nm～55nm；(4)利用等离子刻蚀的技术刻蚀金属薄膜和相变材料复合结构形成柱状电极结构；(5)清洗光刻胶，即得直径50nm的纳米柱状电极形貌；(6)在上述直径50nm以下的柱状纳米阵列上沉积一层绝缘材料覆盖住(5)所得结构，然后用化学机械抛光的方法抛平表面，停留在金属薄膜上；(7)在上述结构上沉积上电极材料，通过刻蚀的方法形成上电极图形，即得纳米级柱状相变存储器单元阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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