[发明专利]一种发光二极管芯片制作方法无效
| 申请号： | 200910051058.8 | 申请日： | 2009-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101552312A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 张楠;朱广敏;郝茂盛;张国义;陈志忠;齐胜利;田鹏飞;李士涛;袁根如;陈诚 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司;北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201210上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管芯片制作方法，该方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上生长N型氮化物层、P型氮化物层以及介于N型氮化物层和P型氮化物层之间的多量子阱层获得发光二极管晶片；(2)利用激光辐照技术对发光二极管晶片进行正面划片直至划入衬底；(3)通过刻蚀工艺对步骤(2)中的发光二极管晶片进行刻蚀并制作N电极，P电极；(4)对步骤(3)中发光二极管晶片进行背面研磨减薄、裂片，得到发光二极管芯片。正面划片在制作N、P电极之前进行，利用制作N、P电极中的刻蚀工艺将激光辐照切割过程中形成的融化层，以及沉积在发光二极管晶片侧面和表面电极上的残渣沉积移除，优化了芯片的光电参数和发光二极管芯片的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管芯片制作方法，该方法包括以下步骤：(1)在蓝宝石衬底上生长N型氮化物层、P型氮化物层以及介于N型氮化物层和P型氮化物层之间的多量子阱层，以获得发光二极管晶片；(2)利用激光辐照切割工艺对发光二极管晶片进行正面划片直至暴露出衬底表面或划入衬底内；(3)通过刻蚀工艺对步骤(2)所得到的发光二极管晶片进行刻蚀，并分别制作N电极和P电极；(4)对步骤(3)所得到的发光二极管晶片进行背面研磨减薄，再用裂片机裂片得到发光二极管芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海蓝光科技有限公司;北京大学，未经上海蓝光科技有限公司;北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910051058.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
