[发明专利]电磁场辅助的金属有机物化学气相沉积无效
申请号: | 200910051270.4 | 申请日: | 2009-05-14 |
公开(公告)号: | CN101886251A | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
发明(设计)人: | 甘志银;王亮;胡少林;陈倩翌;朱海科;严晗 | 申请(专利权)人: | 广东昭信半导体装备制造有限公司 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/44 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 汤喜友 |
地址: | 528251 广东省佛山市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种电磁场辅助的金属有机物化学气相沉积设备,包括:反应腔、喷淋装置、衬底载片台、石墨盘、电极,其特征在于在金属有机物化学气相沉积设备的喷淋口上增设上电极,在石墨盘侧边或底边增设下电极,上电极与下电极构成平板电容结构,形成垂直于衬底表面的电场。用该设备可以调节和控制半导体外延薄膜生长极性。本发明利用恒定或者交变的电场(或磁场)对生长中的III族氮化物材料极性程度进行调节,同时赋予掺杂原子额外能量,获得高载流子浓度的掺杂III族氮化物薄膜材料。通过引入电场和磁场提高III族氮化物外延材料掺杂效率,对样品无污染,而且成品率高,可应用在大规模生产中。 | ||
搜索关键词: | 电磁场 辅助 金属 有机物 化学 沉积 | ||
【主权项】:
一种电磁场辅助的金属有机物化学气相沉积设备,包括:反应腔、喷淋口装置、喷淋冷却液体进口、衬底载片台、石墨盘、石墨盘支承轴、电极,其特征在于:在金属有机物化学气相沉积设备的喷淋口上增设上电极,在石墨盘侧边或底边增设下电极,上电极与下电极构成平板电容结构,形成垂直于衬底表面的电场。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的