[发明专利]一步法制备蝴蝶形ZnSe/GeSe等级异质结纳米线无效
| 申请号： | 200910051667.3 | 申请日： | 2009-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101559920A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 王春瑞;谢庆庆;刘建 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人： | 黄志达;谢文凯 |
| 地址： | 201620上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一步法制备蝴蝶形ZnSe/GeSe等级异质结纳米线，包括：(1)以真空气氛管式电炉为合成环境，将ZnSe粉末与Ge粉末按照质量比为3～2∶2～1混合置于中央三氧化二铝舟上，同时以p型硅基片为衬底；(2)持续抽真空控制炉内压力为200～250Torr，同时持续通入氩气；(3)控制反应管温度为1100～1200℃，保温1.5～3h后，冷却至室温，即得。本发明制备工艺简单易行，采用一步热蒸发即可完成，且可重复性好；所制备的ZnSe/GeSe等级异质结纳米线，其中心骨架由ZnSe和GeSe纳米线并轴形成的异质结构成，在纳米器件组装、传感器制造等诸多领域中有潜在应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一步法 制备 蝴蝶 znse gese 等级 异质结 纳米 | ||
【主权项】：
1.一步法制备蝴蝶形ZnSe/GeSe等级异质结纳米线，包括：(1)以真空气氛管式电炉为合成环境，将ZnSe与Ge按照质量比为3～2∶2～1混合置于中央三氧化二铝舟上，同时以p型硅基片为衬底；(2)持续抽真空控制炉内压力为200～250Torr，同时持续通入氩气；(3)控制反应管温度为1100～1200℃，保温1.5～3h后，冷却至室温，即得蝴蝶形ZnSe/GeSe等级异质结纳米线。
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